本文摘要：日前，南京理工大学的一篇关于物理传感器方面的论文在微电子学与集成电路领域顶级国际期刊IEEEJOURNALOFSOLID-STATECIRCUITS（JSSC）刊登。

日前，南京理工大学的一篇关于物理传感器方面的论文在微电子学与集成电路领域顶级国际期刊IEEEJOURNALOFSOLID-STATECIRCUITS（JSSC）刊登。该研究成果回应我国在MEMS惯性传感器专用集成电路设计方面获得突破性发展。　　现代生活中，智能手机、汽车导航系统、游戏机、数码相机、音乐播放器、无线鼠标、硬盘保护器、智能玩具、计步器、防盗系统等等都带入了MEMS惯性传感器，虽然它们一般来说只有几毫米甚至更加小，毕竟解决问题导航系统、定位、定向和运动姿态测量的最重要部件。　　2015年9月，微电子学与集成电路领域顶级国际期刊IEEEJOURNALOFSOLID-STATECIRCUITS（JSSC）刊登了南京理工大学MEMS团队的研究论文《ASub-gBias-InstabilityMEMSOscillatingAccelerometerWithanUltra-Low-NoiseRead-OutCircuitinCMOS》，这是国内首次在该期刊上公开发表物理传感器方面的文章。

研究成果公开发表于JSSC，指出南理工在MEMS惯性传感器专用集成电路设计方面获得了突破性进展。这项研究成果能大大提高传感器的稳定性（精度），使用该电路的传感器，其性能超过国内外已报导的先进设备水平。　　MEMS团队负责人苏岩教授讲解说道，惯性传感器是检测和测量加速度、弯曲、冲击、振动、转动和多维度（DoF）运动的传感器。

由加速度计和陀螺仪构成的惯性系统可实现对载体方位及运动信息的动态监测。使用MEMS工艺生产的惯性传感器脆弱结构的尺寸，一般来说只有几毫米甚至更加小；专用集成电路（ASIC）是为特定用户或特定电子系统制作的集成电路，可将成千上万的晶体管电路构建于一块芯片，某种程度具备尺寸小的特点。这两者都可大批量生产，成本极低。

　　因此，专用集成电路（ASIC）技术和MEMS技术将很大地减少惯性传感器的成本、体积和功耗，使得该类型传感器可普遍应用于消费电子类产品中。此外使用高性能专用集成电路（ASIC）后，还可减少环境因素及宿主参数对传感器性能的影响，大幅提高MEMS惯性传感器的精度，使得该类型传感器可以在高精度导航系统制导领域获得应用于，能为国防科技的发展贡献一份力量。

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